Системы плазменно-химического осаждения из газовой фазы
Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) – метод осаждения тонких пленок, в котором низкотемпературная плазма используется для активации и диссоциации прекурсорных газов, что позволяет проводить химические реакции при более низких температурах по сравнению с традиционным термическим химическим осаждением из газовой фазы
Применение различных приемов возбуждения плазмы в реакционном объеме и управление ее параметрами позволяет: интенсифицировать процессы роста покрытий; проводить осаждение аморфных и поликристаллических пленок при значительно более низких температурах подложки; более качественно управлять процессами формирования заданного микрорельефа, структуры, примесного состава и других характеристик покрытия
Фланец: ICF70, ICF114, ICF152
Мощность плазменного источника: 100-1000 Вт
Контур с водяным охлаждением
Объем вакуумной камеры: указывается заказчиком